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SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3 A imagem é apenas para referência, consulte as especificações do produto
Número da peça
SIHP30N60E-GE3
Fabricante
Vishay / Spectrol
Descrição
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS
Sem chumbo / acordo com RoHS
Ficha de dados
SIHP30N60E-GE3.pdf
Total:$2.256
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Qtd

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100 pcs250 pcs500 pcs
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Parâmetro do produto

Número da peça
-
Fabricante
Vishay / Spectrol
Descrição
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Ficha de dados
SIHP30N60E-GE3.pdf
Tensão - Teste
2600pF @ 100V
VGS (th) (Max) @ Id
125 mOhm @ 15A, 10V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Série
E
Status de RoHS
Digi-Reel®
RDS ON (Max) @ Id, VGS
29A (Tc)
Polarização
TO-220-3
Outros nomes
SIHP30N60E-GE3DKR
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante
21 Weeks
Número de peça do fabricante
SIHP30N60E-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
130nC @ 10V
Tipo de IGBT
±30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
4V @ 250µA
Característica FET
N-Channel
Descrição expandida
N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
Escorra a tensão de fonte (Vdss)
-
Descrição
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
600V
Rácio de capacitância
250W (Tc)

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