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APT25M100J

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Número da peça
APT25M100J
Fabricante
Microsemi
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Status sem chumbo / Status RoHS
Sem chumbo / acordo com RoHS
Ficha de dados
APT25M100J-1.pdfAPT25M100J-2.pdf
Total:$12.04
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Qtd

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Número da peça
-
Fabricante
Microsemi
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Ficha de dados
APT25M100J-1.pdfAPT25M100J-2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor
ISOTOP®
Série
POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS
330 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max)
545W (Tc)
Embalagem
Tube
Caixa / Gabinete
SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante
17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
9835pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
305nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Característica FET
-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)
1000V
Descrição detalhada
N-Channel 1000V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
25A (Tc)

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