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SIHP28N65E-GE3

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Número da peça
SIHP28N65E-GE3
Fabricante
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS
Ficha de dados
SIHP28N65E-GE3.pdf
Total:$1.114
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(em dólares americanos)
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$1.114

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Número da peça
-
Fabricante
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
Ficha de dados
SIHP28N65E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor
TO-220AB
Série
-
RDS ON (Max) @ Id, VGS
112 mOhm @ 14A, 10V
Dissipação de energia (Max)
250W (Tc)
Embalagem
Tube
Caixa / Gabinete
TO-220-3
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3405pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Característica FET
-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)
650V
Descrição detalhada
N-Channel 650V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
29A (Tc)

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