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FQB17N08LTM

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Número da peça
FQB17N08LTM
Fabricante
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS
Sem chumbo / acordo com RoHS
Ficha de dados
FQB17N08LTM.pdf
Total:$0.00
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Número da peça
-
Fabricante
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Ficha de dados
FQB17N08LTM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor
D²PAK (TO-263AB)
Série
QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS
100 mOhm @ 8.25A, 10V
Dissipação de energia (Max)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 5V
Tipo FET
N-Channel
Característica FET
-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)
80V
Descrição detalhada
N-Channel 80V 16.5A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
16.5A (Tc)

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