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BS170ZL1G

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Número da peça
BS170ZL1G
Fabricante
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92
Status sem chumbo / Status RoHS
Sem chumbo / acordo com RoHS
Ficha de dados
BS170ZL1G.pdf
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Número da peça
-
Fabricante
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92
Ficha de dados
BS170ZL1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor
TO-92-3
Série
-
RDS ON (Max) @ Id, VGS
5 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipação de energia (Max)
350mW (Ta)
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes
BS170ZL1G-ND
BS170ZL1GOSTR
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Característica FET
-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)
60V
Descrição detalhada
N-Channel 60V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
500mA (Ta)

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